一、概述

    MOS-1型功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀，是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置，可用于標(biāo)稱電流約在2-100A，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)和P溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。它可以準(zhǔn)確測(cè)量擊穿電壓VDSS、柵開(kāi)啟電壓VGS（th）和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs，尤其是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電流可以50A，由于采用脈沖電流測(cè)試法，即使在大電流測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件造成任何損壞，更可以在大電流狀態(tài)下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行參數(shù)一致性的測(cè)試（配對(duì)）；儀器可用于同等電流等級(jí)的IGBT參數(shù)的測(cè)量；儀器還是一臺(tái)性能十分的電子元器件耐壓測(cè)試裝置，其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電流有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器主要用于功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子元器件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量準(zhǔn)確、操作簡(jiǎn)單、使用方便。

二、主要技術(shù)性能

1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍： 0—1999V， ：≤2.5% 。

2、IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。

3、柵開(kāi)啟電壓VGS（th） 測(cè)量范圍： 0—10V。 ：≤5% 。

4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)， ：≤10 % 。

5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍：1—100

三、主要測(cè)試功能

1、功率場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵開(kāi)啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。

2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵開(kāi)啟電壓VGE(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。

3、功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測(cè)試，可用于配對(duì)。

4、對(duì)其它更大電流和功率的場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT的測(cè)試：（見(jiàn)下面介紹）。

5、各類晶體三管、二管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。

6、壓敏電阻電壓的測(cè)試

四、測(cè)試盒與測(cè)試線

1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。

2、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類、模塊類等封裝形式的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。

    即使你使用的場(chǎng)效應(yīng)管標(biāo)稱電流和功率遠(yuǎn)大于本儀器所定的100A/300W，本儀器同樣可以在50A的條件