- 企業類型:制造商
- 新舊程度:全新
- 原產地:中國
EM01-PV-III特點:
1.一體化樣品臺技術,兼容測量單晶和多晶太陽電池樣品
2.新型樣品調節技術,有效提高樣品定位高
3.獨特的噪聲處理方法,顯著增強信噪比
4.新型光電增強技術,顯著降低生產現場噪聲對結果的影響
5.增加現場供電檢測和調節功能,適應更加復雜的供電環境
6.多種測量模式選擇,適合對不同要求的場合
7.多線程軟件結構,提高用戶體驗
EM01-PV-III應用領域:
單晶、多晶及各種薄膜太陽能電池的折射率和膜厚測量領域,既適合科研院所研究使用,亦適合工廠進行工藝研究分析和產線上產品檢測以及EM01系列激光橢偏
儀家族的傳統領域,包括半導體、集成電路、微電子、光學鍍膜、醫學與生命科學、電化學、平板顯示領域、磁介質存儲、聚合物、新材料、金屬處理等。
EM01-PV-III性能保證:
1.高穩定性的He-Ne激光光源、高的采樣方法以及低噪聲探測技術,保證了系統的高穩定性和高準確度;
2.高的光學自準直望遠系統,保證了快速、高的樣品方位對準;
3.穩定的結構設計、可靠的樣品方位對準,結合先進的采樣技術,保證了快速、穩定測量;
4.分立式的多入射角選擇,可應用于復雜樣品的折射率和厚度的測量;
5.一體化集成式的儀器結構設計,使得系統操作簡單、整體穩定性提高,并節省空間;
6.專用軟件方便太陽能電池測試和建模。
EM01-PV-III技術指標:
|
激光波長 |
632.8nm (He-Ne laser) |
|
膜層厚度 |
0.01nm (對于Si基底上110nm的SiO2膜層) 0.05nm (對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) |
|
折射率 |
1x10-4 (對于Si基底上110nm的SiO2膜層) 5x10-4 (對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) |
|
光學結構 |
PSCA |
|
激光光束直徑 |
<1mm |
|
入射角度 |
40°-90°可選,步進5° |
|
樣品方位調整 |
三維平移調節:±12.5mm(X-Y-Z三軸) 二維俯仰調節:±4° 光學自準直系統對準 |
|
樣品臺尺寸 |
Φ170mm |
|
單次測量時間 |
0.2s |
|
推薦測量范圍 |
0-2000nm |
|
外形尺寸(長x寬x高) |
887 x 332 x 552mm (入射角為90o時) |
|
儀器重量(凈重) |
25Kg |







