合成方法：水平法（HB）
用 途：可用于發光二管（LED）、激光二管（LD）以及太陽能
電池 等領域砷化鎵單晶的生產。
砷化鎵多晶料性能指標 | ||
原料純度 | 6N 及以上 | |
導電類型 | N 型 | |
遷移率（cm2/V＆#8226;s） | 2500~3500 | |
載流子濃度（cm-3） | 1.0×1016~1.0×1017 | |
產品外觀 | D 字形 | |
尺寸 | 約 60mm 寬× 45mm 高× 330mm 長 | |
北京特博萬德科技有限公司
免企業未認證證營業執照已上傳
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