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多晶硅紅外探傷測試儀(HS-NIR-01型)-是專門用于多晶硅片生產(chǎn)中的硅塊硅棒硅片的裂縫、雜質(zhì)、黑點(diǎn)、陰影、微晶等缺陷探傷的儀器。

紅外探傷測試儀 - 主要原理：在特定光源和紅外探測器的協(xié)助下，HS-NIR-01型多晶硅紅外探傷測試儀能夠穿透200mm深度的硅塊，純硅料幾乎不吸收這個(gè)波段的波長，但是如果硅塊里面有微粒、夾雜(通常為SiC)、隱裂，則這些雜質(zhì)將吸收紅外光，因此在成像系統(tǒng)中將呈現(xiàn)出來，而且這些圖像將通過我們的軟件自動(dòng)生成三維模型圖像。

HS-NIR-01型多晶硅紅外探傷測試儀主要由紅外光源，旋轉(zhuǎn)臺(tái)，成像系統(tǒng)構(gòu)成。成像系統(tǒng)的參數(shù)設(shè)置包括光照亮度，對比度，伽馬射線和一體化的時(shí)間設(shè)置，獲取模式選擇和損壞像素管理。旋轉(zhuǎn)臺(tái)由單軸伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)，同時(shí)擁有光電編碼器的位置檢查的功能。軟件也可以直接控制伺服電機(jī)。

通常都是在硅塊清洗處理后線切割前進(jìn)行紅外探傷，在線切割前進(jìn)行紅外探傷不可以減少線痕片，而且可以減少SiC斷線，大大效益，這些夾雜都可以清晰地反映在我們的紅外探傷系統(tǒng)中。斷線的是一個(gè)費(fèi)時(shí)費(fèi)力的工作，同時(shí)不是的斷線夠成功。因此它是多晶硅片生產(chǎn)中的工具。



紅外探傷測試儀 - 產(chǎn)品特點(diǎn)
■為太陽能多晶硅片過程中的質(zhì)量控制提供了強(qiáng)大的監(jiān)測工具
■檢測速度快，平均每個(gè)硅塊檢測時(shí)間為不過1分鐘
■NIRVision軟件能夠分析4面探傷結(jié)果，并且直接將結(jié)果轉(zhuǎn)換成三維模型圖像
■成像過程將自動(dòng)標(biāo)出夾雜的位置所在
■的加強(qiáng)型內(nèi)插法為高分辨率的雜質(zhì)探傷功能提供了強(qiáng)大的技術(shù)保障
■采用歐洲數(shù)控工程鋁合金材料
■表面都采用了度漆面和電氧化工藝保護(hù)
■系統(tǒng)外框采用高質(zhì)量工業(yè)設(shè)計(jì)
■的部件的設(shè)計(jì)都了長期度使用及小維護(hù)量的要求
■能夠通過自動(dòng)或手動(dòng)旋轉(zhuǎn)對硅塊的前后左右四面和上下兩面進(jìn)行探傷。
■紅外光源通過交直流光源進(jìn)行控制，光強(qiáng)可以通過軟件直接控制，同時(shí)它具有過熱保護(hù)功能
■同時(shí)軟件包含了雜質(zhì)圖像的管理分析功能
■穩(wěn)定性和耐用性俱佳。
■探傷測試面進(jìn)行拋光處理，因此我們推薦在線切割之前進(jìn)行紅外探傷
■紅外成像光源受電阻率影響，硅塊電阻率越低，則對紅外光的吸收越多
■一般電阻率不能低于0.5Ohm*Cm,我們推薦的電阻率在0.8Ohm*Cm以上



紅外探傷測試儀 - 技術(shù)指標(biāo)
■主要探測指標(biāo)：夾雜（通常為SiC），隱裂，微粒等
■硅塊電阻率：≥0.8Ohm*Cm（推薦）
■檢測時(shí)間：平均每個(gè)硅塊1分鐘
■探測深度：200mm
■外框和箱體
>尺寸：143x53x55
>外框采用數(shù)控工程鋁合金
>外框是覆蓋靜電強(qiáng)力漆鋁面板
>主機(jī)重量：98 kg
>附件重量：25 kg
■旋轉(zhuǎn)臺(tái)
>采用單軸伺服電機(jī)
>承載量:40kg
>具有過流保護(hù)以損傷和電機(jī)燒毀
>無步進(jìn)損失，高分辨率解碼機(jī)器
■紅外光源
>度NIR鹵燈，273mm加熱波長
>功率：230V, 1000W
>溫度：25-60攝氏度
>光強(qiáng)可通過軟件控制
>軟件具有過熱保護(hù)
■觀測儀
>采用紅外CCD控溫
>12位ADC
>頻率：60Hz和100Hz兩個(gè)選擇
>像素間距: 30μm
>分辨率：: 320x256 像素
>可手動(dòng)調(diào)節(jié)紅外鏡頭



紅外探傷測試儀 - 合作用戶
江西塞維LDK、中美晶、旭晶能源科技、達(dá)能科技等



 因該儀器自匈牙利，考慮到匯率波動(dòng)問題

                       以歐元計(jì)價(jià)。阿里巴巴參考價(jià)格單位為歐元
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