產品介紹：
◇ 用途：適用于電力半導體器件及電真空器件。 用作可控硅元件中單晶硅片的支撐基板。
◇ 特點：鉬圓片表面光亮，粗糙度可達Ra1.60，熱導電性能好，熱膨脹系數小，且， 壓強度現行同類產品
◇ 規格：（Φ5.0-150.0）×（0.2-6.0）mm 合國標GB/T 14592-93
◇ 參數：比重：10.2g/cm 3 電阻率：不大于6.26×10 -6 Ω.cm
◇ 熱膨脹系數：4.0×10 -6 μm/(m.k)-6.4×10 -6 μm/(m.k)(在373.15k-973.15k)
◇ 如果您有要求，可協商解決。
◇ 用途：適用于電力半導體器件及電真空器件。 用作可控硅元件中單晶硅片的支撐基板。
◇ 特點：鉬圓片表面光亮，粗糙度可達Ra1.60，熱導電性能好，熱膨脹系數小，且， 壓強度現行同類產品
◇ 規格：（Φ5.0-150.0）×（0.2-6.0）mm 合國標GB/T 14592-93
◇ 參數：比重：10.2g/cm 3 電阻率：不大于6.26×10 -6 Ω.cm
◇ 熱膨脹系數：4.0×10 -6 μm/(m.k)-6.4×10 -6 μm/(m.k)(在373.15k-973.15k)
◇ 如果您有要求，可協商解決。
