集電漏電流ICBO VCB=30V,IE=0 100 nA
發射漏電流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA
集電、發射擊穿電壓BVCEO IC=1mA,IB=0 25 V
發射、基擊穿電壓BVEBO IE=100μA,IC=0 5 V
集電、基擊穿電壓BVCBO IC=100μA,IE=0 30 V
集電、發射飽和壓降VCE(sat
)
IC=500mA,IB=50mA 0.6 V
基、發射飽和壓降VBE(sat
)
IC=500mA,IB=50mA 1.2 V
基、發射壓降VBE VCE=1V,IC=10mA 1.0 V
直流電流增益HFE1 VCE=1V,IC=50mA 96 300
HFE2 VCE=1V,IC=500mA 40
1.2
參數號標稱值單位
集電、基擊穿電壓VCBO 30 V
集電、發射擊穿電壓VCEO 25 V
發射、基擊穿電壓VEBO 5 V
集電電流IC 500 mA
集電功率PC 625 mW
結溫TJ 150 ℃
貯存溫TSTG -55-150 ℃
6發射
△電參數（Ta=25℃）
（按HEF1分類）標準分檔： F：96-135 G：112-166 H:144-202 I:200-300
TO-92
1. 發射 E
2. 基 B
3. 集電 C
F G H1 H2 I1 I2
96-120 120-150 150-170 170-200 200-250 250-300