半導體三管又稱“晶體三管”或“晶體管”。在半導體鍺或硅的單晶上制備兩個能相互影響的PN結(jié)，組成一個PNP（或NPN）結(jié)構(gòu)。中間的N區(qū)（或P區(qū)）叫基區(qū)，兩邊的區(qū)域叫發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，這三部分各有一條電引線，分別叫基B、發(fā)射E和集電C，是能起放大、振蕩或開關等作用的半導體電子器件。
三管內(nèi)部有兩個PN結(jié)，可用萬用表電阻檔分辨e、b、c三個。在型號標注模糊的情況下，也可用此法判別管型。
① 基的判別
判別管時應先確認基。對于PNP管，用黑表筆接假定的基，用紅表筆分別接觸另外兩個，若測得電阻都小，約為幾百歐~幾千歐；而將黑、紅兩表筆對調(diào)，測得電阻均較大，在幾百千歐以上，此時假定就是基。NPN管，情況正相反，測量時兩個PN結(jié)都正偏（電阻均較小）的情況下，紅表筆接基。
實際上，小功率管的基一般排列在三個管腳的中間，可用上述方法，分別將黑、紅表筆接基，既可測定三管的兩個PN結(jié)是否完好（與二管PN結(jié)的測量方法一樣），又可確認管型。
② 集電和發(fā)射的判別
確定基后，假設余下管腳之一為集電c，另一為發(fā)射e，用手指分別捏住c與b（即用手指代替基電阻Rb）。同時，將萬用表兩表筆分別與c、e接觸，若被測管為NPN，則用黑表筆接觸c、用紅表筆接e（PNP管相反），觀察指針偏轉(zhuǎn)角度；然后再設另一管腳為c，重復以上過程，比較兩次測量指針的偏轉(zhuǎn)角度大的表明IC大，管子處于放大狀態(tài)，相應假設的c、e正確。
"