總體描述特征
　　額定值TA = 25°C,除非另有注
　　號參數評級的單位
　　VDSS漏源電壓至30 V
　　VGSS柵源電壓值-連續&plun;20 V
　　漏電流-連續(注1a)- 4
　　-脈沖- 20
　　腹膜透析功耗(1a)1.6 W
　　(注意磅)0.8
　　TSTG操作,均能儲存溫度范圍- 55到150℃
　　熱特點,
　　RqJA熱阻、Junction-to-Ambient(1a)78°C / W
　　RqJC熱阻、Junction-to-Case(注1)30°C / W
　　FDC658P Rev.C
　　這P-Channel電平MOSFET產生了
　　采用半導體市場
　　PowerTrench已經定制的過程
　　在導通狀態阻力降到,然而保持
　　門低收費切換性能。
　　這些設備都適合筆記本電腦
　　應用:負荷開關,電源管理,
　　電池充電電路、直流/直流轉換。
　　一、至30 - V關系型數據庫(在)= 0.050 W - V = @器
　　關系型數據庫(在)= 0.075 W @ VGS = -4.5 V。
　　(8nC典型低門)。
　　溝技術為低
　　關系型數據庫(上)。
　　包裝:小SuperSOTTM-6小于(72%
　　標準SO-8);低調(等級的厚)。
　　SOT-23 SuperSOTTM-6 SuperSOTTM-8 SO-8 SOT-223 SOIC-16
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