描述:
6A、600V N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管SVF6N60MJ/F/D采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術制造。的工藝及條狀的原胞設計結構使得該產品具有較低的導通電阻、的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產品可廣泛應用于AC-DC開關電源,DC-DC電源轉換器,高壓H橋PWM馬達驅動。
封裝形式:
TO-251J-3L;TO-252-2L;TO-220F-3L
特點:
∗ 6A,600V,RDS(on)(典型值)=1.35Ω@VGS=10V
∗ 低柵電荷量
∗ 低反向傳輸電容
∗ 開關速度快
∗ 了dv/dt 能力
主要限參數(除非說明,TC=25°C):
漏源電壓VDS:600V
柵源電壓VGS:&plun;30V
漏電流ID(TC=25°C/100°C):6.0A/3.8A
漏脈沖電流IDM:24A
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