- 企業(yè)類型：制造商
- 新舊程度：全新
- 原產(chǎn)地：陜西西安
- 性能：可靠性高
- 包裝：木箱
- 顏色：灰白色
- 材質(zhì)：不銹鋼
- 重量：300KG
一、產(chǎn)品簡介
IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是晶閘管、整流二極管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中不可缺少的專用測試設備。
該套測試設備主要有以下幾個單元組成：
1) 門極觸發(fā)參數(shù)測試單元
2) 維持電流測試單元
3) 阻斷參數(shù)測試單元
4) 通態(tài)壓降參數(shù)測試單元
5) 電壓上升率參數(shù)測試單元
6) 擎住電流
7) 門極電阻
8) 計算機控制系統(tǒng)
9) 合格證標簽打印
10) 夾具單元；包含平板夾具和模塊夾具
二、技術條件
IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)主要技術指標：
2.1 門極觸發(fā)電壓/門極觸發(fā)電流測試單元IGT/VGT
1. 陽極電壓：12V;
2. 陽極串聯(lián)電阻：6Ω;
3. 門極觸發(fā)電壓：0.3～5.00V±3%±10mV;
4. 門極觸發(fā)電流：2～450mA±3%±1 mA;
2.2 維持電流測試單元IH
1. 陽極電壓：12V;
2. 預導通電流： ＞10A,正弦衰減波；
3. 維持電流： 2～450mA ±5%±1 mA;
4. 測試頻率：單次；
2.3 通態(tài)壓降測試單元VTM
1. 平板器件通態(tài)電流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；
2. 模塊器件通態(tài)電流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；
3. 電流上升沿時間：≥5ms；
4. 通態(tài)壓降測試范圍： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%；
5. 測試頻率：單次；
2.4 斷態(tài)電壓/斷態(tài)漏電流VD/ID；反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元
1. 阻斷電壓：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度±0.1 kV±3%；
模塊單元阻斷電壓：0.20～4.00kV
2. 正反向自動測試：
3．正/反向漏電流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA；
精度：±5%±1 mA；
4. 輸出保護電壓和電流可計算機設定范圍值；在測試時電壓或漏電流超過所 設定的范圍則自動保護。
5. 測試頻率： 50HZ
2.5 斷態(tài)電壓臨界上升率測試單元dv/dt
1. 電壓：1200V,1600V,2000V三檔，分辨率：1V，精度±5%；
2. 電壓過沖范圍：＜50V±10%
3. DV/DT電壓上升率三擋選擇：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%；
2.6 擎住電流IL：100-1800mA
2.7 平板夾具壓力范圍：6-60KN，氣動加壓方式
三、功能概述
3-1測試功能范圍
IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)主要可測試以下參數(shù)：
1. 門極參數(shù)測試：VGT、IGT
2. 維持電流測試：IH
3. 阻斷參數(shù)測試：本測試單元可用以測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數(shù)。
4. 壓降單元
本測試單元用來測量晶閘管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等參數(shù)。
5、 電壓上升率參數(shù)測試：dv/dt
6、 擎住電流IL
7、 門極電阻：適合門極觸發(fā)電壓在0.95V以上器件測試
3-2、測試方法和測試準則及原理滿足 IEC 60747-6-2000 中關于晶閘管測試的具體規(guī)定。
IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
(北京半導體器件研發(fā))
