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RIE，全稱是Reactive Ion Etching，反應(yīng)離子刻蝕，一種微電子干法腐蝕工藝。
成熟的技術(shù)，龐大的裝機量，是VLSI（標準樣片公司）供應(yīng)商。有單腔手動方片。性價比很高。特別適合高校和研究單位。
高選擇比
1) 尺寸：2-12英寸
2) 直徑：5”或8”
3) 氣體輸入管數(shù)量：4（兩個反應(yīng)氣，一個載氣，一個排空管）
4) 源距平板的距離：2”或者可調(diào)
5) 真空：低于E-7Torr，200L/sec渦輪分子泵及3.5cfm機械泵組合
6) 平板溫度：800℃
7) 射頻電源供應(yīng)：600W，13.5MHz
8) 射頻偏壓：300W，13.5MHz
可以提供 反應(yīng)離子刻蝕（RIE）和PECVD雙系統(tǒng)。
